半導体に関する知識テスト【採用・研修用】
大学で半導体工学や電子デバイスに関する基礎知識を学んだ学生、または半導体関連業務に携わる初学者向けに設計されたテストです。専門的な用語や原理を理解していることを前提とし、基本的な知識の定着度を確認することを目的としています。
このテストは、半導体に関する基礎知識を確認することを目的とした20問構成の選択式テストです。対象は、大学で半導体について学習した学生や、新たに半導体分野に携わる技術職・開発職の人材です。出題内容は、エネルギーバンド構造やpn接合、MOSFETやバイポーラトランジスタの動作原理、材料特性など、半導体の基礎的事項を中心に構成されています。
これらの問題を通じて、受験者の理解度や応用力、用語の正確な把握、回路動作の仕組みへの理解の深さを測ることができます。特に、単なる暗記ではなく概念理解を問う選択肢構成により、思考力や知識の定着度が明確に表れます。
このテストは、学習成果の確認や復習、採用前のスクリーニング、または研修前後の評価など、幅広い教育・評価の場面での活用が期待されます。
テスト問題プレビュー
1.
半導体のエネルギーバンド構造において、価電子帯と伝導帯の間のエネルギー差を何と呼びますか。
2.
n型半導体において、主に電流を運ぶキャリアはどれですか。
3.
p型半導体を形成するために添加される不純物はどれですか。
4.
図はpn接合の順方向バイアスの模式図です。pn接合ダイオードの順方向バイアス時の動作として正しいものはどれですか。
5.
バイポーラトランジスタの動作において、エミッタ–ベース間に必要なバイアスはどれですか。
6.
シリコンのバンドギャップエネルギーはおおよそどれくらいですか。
7.
半導体において、キャリアの移動度が高いほど、どのような特性が得られますか。
8.
MOSFETの絶縁層として一般的に使用される材料はどれですか。
9.
図はSi結晶で構成された半導体の電気抵抗率を制御するために、P元素を加えた構造を示しています。このような半導体の説明として誤っているものはどれでしょうか。
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